在半導體制造工藝中，光刻、刻蝕和離子注入是三大核心工藝環節。在集成電路制造過程中，刻蝕工藝通常在熱盤對晶圓進行穩定加熱的條件下進行，通過等離子體對晶圓表面進行選擇性刻蝕，從而形成所需的電路圖形。在12英寸28nm芯片制程中，刻蝕均勻性是關鍵工藝指標，而溫度控制是保證刻蝕均勻性的決定性因素。
RTP設備主體采用高功率加熱爐體結構，內部布置有多根呈網格狀分布的加熱燈管。該設備通過多路控溫技術，在實現快速升溫的同時，確保晶圓片具有優異的溫度均勻性。
該項目為成都永浩自控承接“經開發區（東區）園區污水處理廠自控改造項目”。對污水廠自控系統的方案設計和對已有的自控設備恢復、升級與安裝調試工作。
為了保證凈水處理工藝流程，能適應進廠水水質的變化，確保凈水處理工藝過程安全、可靠、穩定地運行。使出廠水達到國家凈水水質的要求。同時降低處理成本，減輕勞動強度，改善操作環境，促進技術進步，發揮通信網絡技術的優勢，實現資源共享，以提高生產效率及管理水平，即運用計算機控制