設備概況

在半導體制造工藝中，光刻、刻蝕和離子注入是三大核心工藝環節。在集成電路制造過程中，刻蝕工藝通常在熱盤對晶圓進行穩定加熱的條件下進行，通過等離子體對晶圓表面進行選擇性刻蝕，從而形成所需的電路圖形。在12英寸28nm芯片制程中，刻蝕均勻性是關鍵工藝指標，而溫度控制是保證刻蝕均勻性的決定性因素。

課題

如何創新溫度波動干擾抑制算法，實現刻蝕啟輝時溫度波動抑制在±0.5℃內，滿足刻蝕工藝溫控的要求？

解決方案

1. 在傳統PID控制的基礎上，增加前饋補償通道，消除刻蝕啟輝干擾，抑制干擾帶來的溫度擾動。

2. 利用Matlab數字化技術平臺融合產品與應用，配合巧妙的前饋干擾抑制算法，將不同刻蝕功率下的溫度干擾抑制在±0.5℃以內，刻蝕啟輝溫度的干擾抑制從2.3℃降低至±0.48℃，滿足客戶刻蝕工藝溫控需求。

系統配置

實現價值

【工程師層】

■ 采用前饋控制算法，有效抑制溫度干擾，降低溫度波動，實現多分區熱盤的同步升溫控制。

【管理層】

■ 通過精確調控溫度參數影響刻蝕速率，提升加工精度，同時優化能源利用效率。

【經營層】

■ 依托精密工藝創新與流程優化，賦能客戶價值提升，服務產業高質量發展需求。

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