天碩X55系列航天級固態(tài)硬盤，搭載自研抗輻照控制器（TID ≥ 100 krad(Si)，SEL LET ≥ 37 MeV·cm2/mg），順序讀取速度可達 3GB/s 以上，單盤容量最高支持8TB；支持pSLC模式、配備增強型LDPC糾錯碼（≥700bit/4K），并通過基于GJB-548C與QJ-10004等航天試驗規(guī)范驗證，可在-55℃至85℃的范圍內(nèi)可實現(xiàn)全穩(wěn)態(tài)運行。產(chǎn)品覆蓋M.2、U.2、XMC、BGA等多種接口形態(tài)，已成功應(yīng)用于多型在軌衛(wèi)星。

本文旨在以問答形式，系統(tǒng)梳理航天存儲領(lǐng)域的高頻技術(shù)疑問（FAQ），并給出基于工程實踐的解答。無論是初次接觸星載存儲的系統(tǒng)設(shè)計師，還是正在評估不同技術(shù)路徑的采購決策者，均可從中獲得清晰的參照框架。

Q1：什么是航天存儲？與工業(yè)存儲有哪些區(qū)別？

A1：航天存儲是傳統(tǒng)宇航存儲在商業(yè)航天新時代下的新范式，特指那些能滿足商業(yè)航天時代需求，在成本、性能和可靠性之間取得新平衡的新型存儲方案。低軌大型商業(yè)衛(wèi)星星座、遙感衛(wèi)星等是這類存儲的典型應(yīng)用場景。

與工業(yè)存儲相比，航天存儲的差異性主要體現(xiàn)在以下三個層面：

一.是環(huán)境適應(yīng)性。 工業(yè)存儲的設(shè)計主要考慮寬溫、振動等環(huán)境；而航天存儲則需面對空間環(huán)境中的輻射、高真空及劇烈溫差循環(huán)，這些因素會對半導(dǎo)體器件造成不可逆損傷。

二.是可靠性設(shè)計。 航天存儲的應(yīng)用場景對可靠性要求更為嚴(yán)苛，需通過抗輻照加固、冗余架構(gòu)、在軌糾錯、固件重刷等多層機制來保障數(shù)據(jù)安全。

三.是驗證體系。 工業(yè)級存儲產(chǎn)品通常遵循工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測試體系；而航天級存儲產(chǎn)品必須經(jīng)過更為嚴(yán)格的地面試驗與在軌驗證。

Q2：空間中哪些環(huán)境因素會影響到航天存儲的性能？

A2：空間環(huán)境是最直接影響航天存儲系統(tǒng)設(shè)計的因素。工程師必須考慮以下幾種極端條件：

● 宇宙輻射：來自太陽耀斑和銀河宇宙射線的高能粒子會導(dǎo)致存儲單元發(fā)生位翻轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞或系統(tǒng)崩潰。

● 極端溫度：衛(wèi)星會經(jīng)歷劇烈的溫差波動。從強烈的太陽照射高溫到地球陰影中的極冷環(huán)境。這些波動會使存儲材料老化并影響讀寫速度。

● 高能粒子： 質(zhì)子和重離子可以穿透電路，導(dǎo)致鎖定 (Latch-up) 或?qū)Π雽?dǎo)體元件造成永久性損壞。

● 真空條件： 空氣的缺失增加了材料釋氣的風(fēng)險，并改變了熱管理方式，可能影響存儲模塊的壽命。

為了緩解這些風(fēng)險，衛(wèi)星存儲系統(tǒng)通常經(jīng)過抗輻照加固、熱屏蔽，并采用冗余設(shè)計。材料和封裝經(jīng)過嚴(yán)格測試，以確保在軌道上長期運行。

Q3：衡量抗輻照性能的常見參數(shù)有哪些？都指向什么含義

A3：衡量抗輻照性能的參數(shù)通常分為累積效應(yīng)和瞬時效應(yīng)兩大類。以下是常見的核心衡量參數(shù)及其具體含義：

1.總電離劑量 (TID, Total Ionizing Dose)

TID 衡量的是元器件在整個生命周期內(nèi)吸收電離輻射能量的累積總量。

● 單位： rad(Si) 或 Gy(Si)，通常使用 krad 或 Mrad 。

● 含義： 當(dāng)高能粒子（如電子、質(zhì)子、γ射線）穿過半導(dǎo)體時，會在絕緣層中產(chǎn)生電子-空穴對。隨著時間推移，這些電荷被捕獲并堆積，導(dǎo)致器件特性漂移。對于星載存儲而言，TID是評估其在軌運行壽命的關(guān)鍵指標(biāo)。數(shù)值越大，說明器件在空間環(huán)境中的有效服役時間越長。例如，一塊抗總劑量能力為15krad(Si) 的M.2 SSD，根據(jù)空間輻射環(huán)境累積劑量模型估算，即可在低地球軌道上穩(wěn)定可靠運行5至10年。

2.單粒子效應(yīng) (SEE, Single Event Effects)

不同于 TID 的累積性，SEE 是由單個高能粒子（如重離子、中子）擊中元器件敏感區(qū)域引發(fā)的瞬時干擾或破壞。

核心子參數(shù)：

1.SEL LETth(單粒子鎖定閾值)：

● 單位：MeV·cm2/mg

● 含義：LET（線能量傳輸）代表粒子在材料中單位路徑上沉積的能量。LETth是指觸發(fā)單粒子鎖定 (SEL) 所需的最低能量閾值。SEL 是一種高電流狀態(tài)，可能導(dǎo)致電路燒毀。一款芯片的SEL LETth越高，說明它對鎖定效應(yīng)具有越強的免疫力。

2.飽和截面 (Saturation Cross-section)：

● 單位：cm2/device 或 cm2/bit。

● 含義： 描述元器件對特定粒子輻射的敏感概率。數(shù)值越大，代表器件越容易被粒子“擊中”并產(chǎn)生效應(yīng)。

在實際應(yīng)用中，工程師通常要優(yōu)先關(guān)注 SEL LETth 以確保硬件不會因為“鎖定”而物理損壞，同時關(guān)注 TID 以確定設(shè)備在目標(biāo)軌道或輻射環(huán)境下的有效服役年限。

此外，對于星載存儲設(shè)備，SEU/SEFI 的防護水平（通常通過 ECC 算法和固件加固實現(xiàn)）直接決定了數(shù)據(jù)的安全性，也值得高度關(guān)注。

Q4：什么是pSLC模式，它有什么作用？

A4：pSLC模式是當(dāng)前航天和工業(yè)存儲領(lǐng)域常用的提升可靠性的方式。pSLC（Pseudo Single-Level Cell，偽單層單元）模式通過算法犧牲多層閃存的存儲密度，來換取接近原生 SLC 的電氣特性。

航天環(huán)境對電子元器件極其苛刻，pSLC 模式在這些場景下表現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢：

● 增強輻射耐受力。航天器面臨的主要威脅是空間輻射引發(fā)的單粒子效應(yīng)。在 TLC 模式下，狀態(tài)間的電壓間距非常小，即使是微弱的輻射干擾導(dǎo)致的電荷輕微偏移，也容易發(fā)生比特翻轉(zhuǎn)（Bit Flip）。由于pSLC模式下，電壓狀態(tài)只有兩個，其判定閾值窗口（Threshold Window）更大。這意味著即使電荷因為輻射產(chǎn)生了明顯的物理偏移，邏輯判斷依然能保持準(zhǔn)確，大幅降低了 SEU（單粒子翻轉(zhuǎn)）引發(fā)的數(shù)據(jù)損壞率。

● 更高的擦寫壽命。航天任務(wù)往往跨越數(shù)年甚至數(shù)十年，且重要遙測數(shù)據(jù)的寫入極其頻繁。原生 TLC 的擦寫壽命通常只有 3,000 次左右。將其配置為 pSLC 模式后，擦寫壽命通常可以提升 10 倍以上。這保證了在長年的航天任務(wù)中，存儲介質(zhì)不會因為頻繁的日志記錄或數(shù)據(jù)緩沖而提前報廢。

● 更強的數(shù)據(jù)留存能力。在高溫或輻射環(huán)境下，閃存單元內(nèi)的電子會更快地穿過隧道氧化層流失。航天器在執(zhí)行遠征任務(wù)時，部分關(guān)鍵指令集數(shù)據(jù)可能長期存放而不被讀取。pSLC模式下，更寬的電壓判定區(qū)間使得系統(tǒng)對電荷流失有更強的容忍度。即使在惡劣的外部條件下，pSLC 也能確保SSD的數(shù)據(jù)在不通電或極端環(huán)境下存放數(shù)年而不出錯。此外，溫度變化會直接影響電子的活躍度和電壓分布，pSLC 模式由于結(jié)構(gòu)簡單，對溫度引起的電壓漂移更不敏感。

Q5：用戶可以從哪些方面評估星載存儲的性能？

A5：星載存儲系統(tǒng)使用一套針對空間作業(yè)需求定制的綜合指標(biāo)進行評估。這些基準(zhǔn)測試有助于工程師對比技術(shù)并確保任務(wù)執(zhí)行：

● 抗輻照性能：存儲系統(tǒng)抵抗空間輻射環(huán)境的能力。這是星載存儲系統(tǒng)空間環(huán)境適應(yīng)性的首要前提；缺乏抗輻照能力則無法在軌工作。

● 數(shù)據(jù)完整性：存儲數(shù)據(jù)隨時間推移的準(zhǔn)確性和可靠性。它可以通過ECC、屏蔽和冗余來保證，對于關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)至關(guān)重要。

● 溫度適應(yīng)性：在航天器經(jīng)歷的劇烈溫差循環(huán)中保持穩(wěn)定工作的能力。這是星載存儲在溫變環(huán)境中可靠運行的關(guān)鍵保障。

● 訪問時間：從存儲器檢索數(shù)據(jù)所需的時間。這對自主導(dǎo)航、應(yīng)急響應(yīng)等實時處理至關(guān)重要。

● 傳輸速率：每秒傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。它會直接影響圖像或傳感器數(shù)據(jù)下傳至地球的速度。

● 延遲：數(shù)據(jù)請求與數(shù)據(jù)可用之間的延遲。它會影響系統(tǒng)響應(yīng)能力，尤其是在時間敏感的操作中。

● 耐久性：性能退化前的擦寫循環(huán)次數(shù)。它會限制頻繁進行數(shù)據(jù)記錄或軟件更新的任務(wù)壽命。

這些指標(biāo)必須在模擬的空間條件下經(jīng)過嚴(yán)格測試，才能確保存儲系統(tǒng)達到成功進行地球觀測任務(wù)和空間探索所需的可靠性、速度和耐用性。

結(jié)語

透過上述問題，我們不難發(fā)現(xiàn)：航天存儲的技術(shù)門檻是來自對空間環(huán)境失效機理的量化理解、對多層級加固手段的系統(tǒng)集成，以及對“經(jīng)濟成本”、“可用性”和“可靠性”之間平衡的精準(zhǔn)把握。

航天存儲的技術(shù)演進遠未終結(jié)。隨著在軌邊緣計算、星間協(xié)同存儲及新型非易失介質(zhì)的成熟，新的工程問題將持續(xù)涌現(xiàn)。天碩（TOPSSD）愿與行業(yè)同仁一道，以科學(xué)定義、透明溝通、持續(xù)創(chuàng)新的理念，共同推動中國航天存儲技術(shù)邁向更高臺階。

關(guān)于天碩（TOPSSD）

湖南天碩創(chuàng)新科技有限公司（TOPSSD）成立于2016年，是國家認定的高新技術(shù)企業(yè)，長期專注于高可靠、高性能存儲技術(shù)的自主創(chuàng)新。公司立足國家戰(zhàn)略需求，面向航天、航空、國防和高端工業(yè)等關(guān)鍵領(lǐng)域，提供完全自主可控的核心存儲解決方案，切實保障國家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的數(shù)據(jù)安全與運行穩(wěn)定，為實現(xiàn)高水平科技自立自強提供堅實支撐。

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