設備概況

干法刻蝕機的核心是真空反應腔，其中央卡盤通過靜電吸附固定晶圓。工藝過程中，從反應腔上方通入鹵族氣體、氟基氣體等反應氣體，這些氣體在高頻電場作用下被電離，形成等離子體。等離子體轟擊晶圓表面，通過物理濺射直接去除材料原子，或通過化學反應生成揮發性化合物，從而實現精確的刻蝕效果。

課題

1. 分析熱盤特性，建立正確數學模型。

2. 規劃控溫曲線高速升溫，同時保證同步性。

解決方案

1. 引入系統辨識技術，確定PID控制律中目標值和反饋值兩者的準確數學模型。

2. 使用過渡過程處理TD算法，規劃一條合理的實際控溫曲線，實時反推PID的多分區目標值，周期性作用到PID控制中。

系統配置

實現價值

【工程師層】

■ 升溫時間由90秒縮短到65秒，同步性偏差由6℃提升至1.8℃，提升熱盤升溫過程中的同步效果。

【管理層】

■ 通過溫度控制技術關聯蝕刻速率調控，支持加工精度與能效的協同優化，探索資源效率提升路徑。

【經營層】

■ 通過持續的技術創新與應用，優化產品性能與生產流程，助力客戶構建市場差異化優勢，服務產業高質量發展。

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