原子層沉積（ALD）是一種以準單原子層形式逐層周期性生長的薄膜沉積技術。ALD設備憑借其原子級別的精確控制能力、優異的薄膜覆蓋性以及超薄膜厚的均勻性，為邏輯芯片和存儲芯片的介質層等關鍵工藝提供先進的解決方案。
干法刻蝕機的核心是真空反應腔，其中央卡盤通過靜電吸附固定晶圓。工藝過程中，從反應腔上方通入鹵族氣體、氟基氣體等反應氣體，這些氣體在高頻電場作用下被電離，形成等離子體。等離子體轟擊晶圓表面，通過物理濺射直接去除材料原子，或通過化學反應生成揮發性化合物，從而實現精確的刻蝕效果。
歐姆龍成功事例 | 涂膠顯影機上的溫度控制案例：利用溫度均一技術，減少調溫時的人工依賴
污水處理廠的等保系統不僅滿足《網絡安全法》及等級保護制度的合規要求，還通過技術防護、動態管理、智能響應等功能，保障了從設備控制到數據流轉的全鏈路安全。
WEE設備是涂膠顯影設備中的一部分，因為在涂膠工藝之后，晶圓邊緣會殘留球狀物，會影響光刻工藝，所以需要將晶圓邊緣的球狀物去除，WEE設備就是利用激光曝光方式進行去邊的一種設備。設備主要分為兩部分，測量工位和去邊工位。晶圓隨機上料到旋轉平臺，在測量工位進行測量，找到晶圓中心后通過橫移機構，至去邊工位進行曝光去邊。
ModbusRTU與匯川PLC存儲模式存在大小端差異，易造成數據錯位。文中結合PLC指令，分享16位單字、32位雙字及浮點數的高低位矯正程序，同時說明收發端轉換要點，可直接用于現場調試。