700V PowerGaN功率器件提升能效，縮減電源設計體積，適用于AI服務器、機器人、工業設備，以及家電等高端消費類產品。

     2026 年 6月5 日，中國—— 意法半導體新氮化鎵（GaN）功率晶體管賦能高需求電氣化應用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化鎵功率器件屬于STPOWER產品組合，能夠解決人工智能服務器耗電量不斷攀升的能效難題，還可以克服市場需要更高的電源轉換性能而傳統硅基器件已經達到技術極限的行業挑戰。

     意法半導體新PowerGaN器件可為高壓電源帶來更高能效和功率密度，額定工作電壓 700V，支持大功率電源轉換和高頻開關電路拓撲。PowerGaN氮化鎵器件本身具備很多天然優勢，包括導通損耗低、高頻開關損耗小，無反向恢復電荷，能夠縮減系統體積，減輕重量，降低工作溫度。這些功率半導體特性對于機器人、工業電源，以及發電、配電、儲能智能電網變流器至關重要。

     意法半導體功率及分立器件子產品部執行副總裁Mario Aleo表示：“我們的PowerGaN產品組合本次新增的多款 700V 器件，讓中高功率應用也能享受氮化鎵技術的好處。我們還將持續擴充這個產品組合，推出更多的不同額定電壓、具備新特性的器件，強化我們為未來AI服務器、人形機器人、工業電源以及家電等高端消費類電源提供GaN解決方案的承諾?！?/p>

技術解釋，供編輯參考： 

     意法半導體新推出的七款增強型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）屬于700V PowerGaN系列，額定連續電流覆蓋 6A至 29A區間，典型導通電阻為 53 m?至 270 m?。低內部電容和低柵極電荷是GaN寬禁帶技術的固有特性，每款新產品的Qg x RDS(on)  品質因數（FoM）都遠超傳統硅基器件。

新的700V產品均達到意法半導體可靠性標準要求，擴大了產品選型范圍，為應用帶來高性能和高能效，可直接替換現有功率轉換電路的傳統MOSFET，也可實現全新的高頻電路拓撲。其高頻開關特性能夠縮減磁性元件和無源器件的體積，進而讓功率電路布局更緊湊、功率密度更高。

     新產品采用DPAK、TO-LL、PowerFLAT三種表面貼裝封裝，這類封裝經過實際應用檢驗，受到主流電子設計自動化元件庫與工具鏈的廣泛支持。其中 TO-LL 和 PowerFLAT 封裝型號配備開爾文源極引腳，將柵極控制電路與主電源回路隔離，從而大幅提升抗干擾能力，保護柵極驅動器，并保證時序裕量。本次推出的具體型號如下：

●采用6.10 mm x 6.60 mm 3 引腳 DPAK 封裝，帶可焊接散熱盤

●SGT070R70HTO(26 A, 53 m?*)，采用無引腳 TO-LL 封裝，漏極和源極引腳散熱性能優異

●SGT080R70ILB (29 A, 60 m?*), SGT105R70ILB (21.7 A, 80 m?*), SGT140R70ILB (17 A, 106 m?*), SGT190R70ILB (11.5 A, 138 m?*), SGT240R70ILB (10 A, 165 m?*)，這五款器件均采用PowerFLAT 8x8  封裝，帶可焊接源極散熱盤，以進一步提升散熱性能。

(*) 典型 RDS(on)

新 700V PowerGaN晶體管現已量產，可通過意法半導體在線商城或授權代理商采購。

產品詳情訪問 https://www.st.com/new-700v-powergan

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