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Vishay采用行業標準SOT-227封裝的1200 V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

Vishay采用行業標準SOT-227封裝的1200 V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

2026/3/17 13:35:31

     這些器件可作為中高頻應用中競品的“即插即用”型替代方案


     美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年3月17日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120,其目標在于提升汽車、能源、工業及通信系統中高頻應用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅(SiC)MOSFET,并且以行業標準的SOT-227形式進行封裝。


     此次推出的每個功率模塊都采用單開關和低邊斬波器配置,內置的SiC MOSFET集成了軟體二極管,可實現低反向恢復特性。這種設計降低了開關損耗,提高了效率,可適用于太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電器、SMPS、直流/直流轉換器、不間斷電源(UPS)、暖通空調(HVAC)系統、大規模電池儲能系統以及通信電源設備等領域。


     VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用緊湊型的SOT-227封裝,使得這些器件能夠作為現有設計中競品的“即插即用”型替代方案。這樣,設計人員無需對PCB布局進行更改,即可采用最新的SiC技術,從而節省成本。模壓封裝還可提供高達2500 V(一分鐘)的電氣絕緣,通過消除組件與散熱器之間對額外絕緣措施的需求,進一步降低了成本。


     這些功率模塊提供50 A至200 A的連續漏極電流,導通電阻低至12.1 m。這些器件符合RoHS標準,具備低電容高速開關特性,并可支持+175 C的最高工作結溫。


器件規格表:

image.png


     VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為13周。 


VISHAY簡介

     Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一,這些產品對于汽車、工業、計算、消費、通信、航空航天和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech. ?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。


     The DNA of tech?是Vishay Intertechnology的商標。


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李娜
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