技術參數　　
　　
　　1。ECR微波等離子體源＆和電源：
　　•圓形
　　􀁸8，12inch等離子體源
　　􀁸頻率2.46GHz
　　􀁸微波發生器，電磁鐵和3個調諧器
　　•矩形等離子體源
　　􀁸長度：500to1，000mm（upto2，000mmforlargeplanarareadeposition）
　　•電源
　　􀁸微波電源：50-1，200W（upto10kW）
　　􀁸反射微波功率測量
　　􀁸磁體電源：600W（100V，6A）
　　
　　2。薄膜沉積控制：
　　•膜厚檢測和處理時間可通過計算機程序控制
　　•膜厚檢測和處理速度可通過計算機程序控制
　　􀁸支持大面積沉積（如：氧化硅、氮化硅等）
　　􀁸可升級為在線ECR-PECVD系統
　　•質量流量和自動壓力控制
　　􀁸質量流量控制器：各種氣體
　　􀁸Baratron真空規：等離子體處理
　　􀁸節流閥和控制器
　　
　　3。真空室：
　　•圓形腔體
　　•直徑：φ400～600mm（Substrate：2to15inch）
　　•高度：400～700mm
　　•方形腔體
　　•根據用戶需求定制
　　
　　4。真空泵和測量裝置：
　　•低真空：干泵，增壓泵和Convectron真空規
　　•高真空：渦輪分子泵和離子規
　　
　　5。控制系統：PLC，計算機觸摸屏控制
　　
主要特點　　
　　
　　擴展功能：
　　•射頻電源：基底偏壓
　　•帶自動樣品遞送裝置的Loadlock樣品加載室
　　•溫度控制器：基底加熱
　　•蒸鍍cellfordopingonfilm
　　•基底旋轉功能：以提供薄膜厚度和熱均勻性
　　•大面積基底平移系統
　　•冷卻系統g
　　
　　ECR特點：
　　•更高的離子化程度
　　•更高的離子密度、低壓下＜10-4Torr下粒子的活性
　　•更低的污染：因為無需電極
　　•適用于等離子體清洗，表面活化／改性和薄膜沉積
　　
儀器介紹　　
　　
　　全球專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD／ICPEtcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等；